收藏本站
Si7530DP
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
15
V GS = 10 V thru 4 V
12
9
6
3V
25 °C, unless otherwise noted
15
12
9
6
3
0
3
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.12
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
800
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
700
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
500
400
300
200
100
0
C oss
C rss
C iss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 30 V
I D = 15 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 10 A
1.8
12
8
4
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
24
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73249
S09-0223-Rev. D, 09-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7634BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7658ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
SI7682DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI7540DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7540DP_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI7540DP-T1 功能描述:MOSFET 12V 11.8/8.9A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7540DP-T1-E3 功能描述:MOSFET N-and P-CHANNEL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7540DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7540DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 17/32mohomS@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-7600 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:3-Phase Stepper Motor Driver ICs
SI-7600D 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:3-Phase Stepper Motor Driver ICs